| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 81.08 грн |
| 10+ | 65.25 грн |
| 100+ | 44.97 грн |
| 500+ | 40.46 грн |
| 1000+ | 34.18 грн |
| 3000+ | 32.63 грн |
| 6000+ | 30.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMYS4D6N04CLTWG onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NVMYS4D6N04CLTWG за ціною від 30.59 грн до 97.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMYS4D6N04CLTWG | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| NVMYS4D6N04CLTWG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMYS4D6N04CLTWG |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.53 грн |
| 10+ | 61.01 грн |
| 100+ | 42.69 грн |
| 500+ | 33.51 грн |
| 1000+ | 30.59 грн |
| NVMYS4D6N04CLTWG |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)