Продукція > ONSEMI > NVMYS4D6N04CLTWG
NVMYS4D6N04CLTWG

NVMYS4D6N04CLTWG onsemi

nvmys4d6n04cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS4D6N04CLTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS4D6N04CLTWG за ціною від 31.32 грн до 84.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS4D6N04CLTWG NVMYS4D6N04CLTWG Виробник : onsemi nvmys4d6n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.79 грн
10+62.15 грн
100+48.33 грн
500+38.45 грн
1000+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS4D6N04CLTWG NVMYS4D6N04CLTWG Виробник : onsemi NVMYS4D6N04CL_D-2319957.pdf MOSFET T6 40V LL LFPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.63 грн
10+68.11 грн
100+46.94 грн
500+42.23 грн
1000+35.68 грн
3000+34.06 грн
6000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS4D6N04CLTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys4d6n04cl-d.pdf
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS4D6N04CLTWG Виробник : ONSEMI nvmys4d6n04cl-d.pdf NVMYS4D6N04CLTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.