Продукція > ONSEMI > NVMYS5D3N04CTWG
NVMYS5D3N04CTWG

NVMYS5D3N04CTWG onsemi

nvmys5d3n04c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.08 грн
6000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS5D3N04CTWG onsemi

Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 50W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVMYS5D3N04CTWG за ціною від 25.46 грн до 90.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS5D3N04CTWG NVMYS5D3N04CTWG Виробник : ONSEMI 2850045.pdf Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.34 грн
500+33.28 грн
1000+29.27 грн
5000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS5D3N04CTWG NVMYS5D3N04CTWG Виробник : ONSEMI 2850045.pdf Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.72 грн
14+66.44 грн
100+46.34 грн
500+33.28 грн
1000+29.27 грн
5000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS5D3N04CTWG NVMYS5D3N04CTWG Виробник : onsemi nvmys5d3n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.91 грн
10+65.41 грн
100+45.61 грн
500+36.01 грн
1000+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS5D3N04CTWG NVMYS5D3N04CTWG Виробник : onsemi NVMYS5D3N04C_D-2319697.pdf MOSFETs 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.37 грн
10+71.39 грн
100+43.37 грн
500+34.96 грн
1000+32.19 грн
3000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS5D3N04CTWG Виробник : ONSEMI nvmys5d3n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; Idm: 352A; 25W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 25W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.