Продукція > ONSEMI > NVMYS5D3N04CTWG
NVMYS5D3N04CTWG

NVMYS5D3N04CTWG onsemi

nvmys5d3n04c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+30.59 грн
6000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS5D3N04CTWG onsemi

Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 50W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.

Інші пропозиції NVMYS5D3N04CTWG за ціною від 24.11 грн до 100.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMYS5D3N04CTWG NVMYS5D3N04CTWG ONSEMI 2850045.pdf Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.43 грн
500+32.60 грн
1000+26.15 грн
5000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS5D3N04CTWG NVMYS5D3N04CTWG onsemi nvmys5d3n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.50 грн
10+60.47 грн
100+42.16 грн
500+33.30 грн
1000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS5D3N04CTWG NVMYS5D3N04CTWG onsemi NVMYS5D3N04C_D-2319697.pdf MOSFETs 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.34 грн
10+63.47 грн
100+38.55 грн
500+31.08 грн
1000+28.62 грн
3000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS5D3N04CTWG NVMYS5D3N04CTWG ONSEMI 2850045.pdf Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.32 грн
13+66.52 грн
100+48.43 грн
500+32.60 грн
1000+26.15 грн
5000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS5D3N04CTWG 2850045.pdf
NVMYS5D3N04CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+48.43 грн
500+32.60 грн
1000+26.15 грн
5000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS5D3N04CTWG nvmys5d3n04c-d.pdf
NVMYS5D3N04CTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+78.50 грн
10+60.47 грн
100+42.16 грн
500+33.30 грн
1000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS5D3N04CTWG NVMYS5D3N04C_D-2319697.pdf
NVMYS5D3N04CTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+80.34 грн
10+63.47 грн
100+38.55 грн
500+31.08 грн
1000+28.62 грн
3000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS5D3N04CTWG 2850045.pdf
NVMYS5D3N04CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 5300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+100.32 грн
13+66.52 грн
100+48.43 грн
500+32.60 грн
1000+26.15 грн
5000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.