Продукція > ONSEMI > NVMYS5D3N04CTWG
NVMYS5D3N04CTWG

NVMYS5D3N04CTWG onsemi


NVMYS5D3N04C_D-1814722.pdf Виробник: onsemi
MOSFET 40V 5.3Ohm 68A Single N-Channel
на замовлення 1247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.12 грн
10+ 134.45 грн
25+ 108.27 грн
100+ 94.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS5D3N04CTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NVMYS5D3N04CTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMYS5D3N04CTWG NVMYS5D3N04CTWG Виробник : onsemi nvmys5d3n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMYS5D3N04CTWG NVMYS5D3N04CTWG Виробник : onsemi nvmys5d3n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній