NVMYS6D2N06CLTWG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 35.74 грн |
| 6000+ | 32.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMYS6D2N06CLTWG onsemi
Description: ONSEMI - NVMYS6D2N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.005 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 61W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NVMYS6D2N06CLTWG за ціною від 32.15 грн до 131.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMYS6D2N06CLTWG | Виробник : onsemi |
MOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 60 V, 6.2mohm, 69 A |
на замовлення 2513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVMYS6D2N06CLTWG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS6D2N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.005 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVMYS6D2N06CLTWG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVMYS6D2N06CLTWG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NVMYS6D2N06CLTWG | Виробник : ONSEMI |
NVMYS6D2N06CLTWG SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |