Продукція > ONSEMI > NVMYS6D2N06CLTWG
NVMYS6D2N06CLTWG

NVMYS6D2N06CLTWG onsemi

nvmys6d2n06cl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+35.70 грн
6000+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS6D2N06CLTWG onsemi

Description: ONSEMI - NVMYS6D2N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 6100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 61W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVMYS6D2N06CLTWG за ціною від 28.33 грн до 139.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMYS6D2N06CLTWG NVMYS6D2N06CLTWG onsemi nvmys6d2n06cl-d.pdf MOSFETs T6 60V LL LFPAK
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.81 грн
10+79.43 грн
100+46.17 грн
500+36.51 грн
1000+33.41 грн
3000+29.32 грн
6000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS6D2N06CLTWG NVMYS6D2N06CLTWG onsemi nvmys6d2n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.63 грн
10+80.40 грн
100+53.97 грн
500+40.02 грн
1000+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS6D2N06CLTWG NVMYS6D2N06CLTWG ONSEMI NVMYS6D2N06CL-D.PDF Description: ONSEMI - NVMYS6D2N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 6100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.79 грн
10+89.63 грн
100+83.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS6D2N06CLTWG nvmys6d2n06cl-d.pdf
NVMYS6D2N06CLTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V LL LFPAK
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.81 грн
10+79.43 грн
100+46.17 грн
500+36.51 грн
1000+33.41 грн
3000+29.32 грн
6000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS6D2N06CLTWG nvmys6d2n06cl-d.pdf
NVMYS6D2N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+131.63 грн
10+80.40 грн
100+53.97 грн
500+40.02 грн
1000+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS6D2N06CLTWG NVMYS6D2N06CL-D.PDF
NVMYS6D2N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS6D2N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 6100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+139.79 грн
10+89.63 грн
100+83.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.