Продукція > ONSEMI > NVMYS6D2N06CLTWG
NVMYS6D2N06CLTWG

NVMYS6D2N06CLTWG onsemi

nvmys6d2n06cl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+34.65 грн
6000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS6D2N06CLTWG onsemi

Description: ONSEMI - NVMYS6D2N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 6100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 61W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm.

Інші пропозиції NVMYS6D2N06CLTWG за ціною від 35.53 грн до 127.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMYS6D2N06CLTWG NVMYS6D2N06CLTWG onsemi nvmys6d2n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.78 грн
10+78.05 грн
100+52.39 грн
500+38.85 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS6D2N06CLTWG NVMYS6D2N06CLTWG ONSEMI NVMYS6D2N06CL-D.PDF Description: ONSEMI - NVMYS6D2N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 6100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 61W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS6D2N06CLTWG NVMYS6D2N06CLTWG onsemi nvmys6d2n06cl-d.pdf MOSFETs T6 60V LL LFPAK
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS6D2N06CLTWG nvmys6d2n06cl-d.pdf
NVMYS6D2N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.78 грн
10+78.05 грн
100+52.39 грн
500+38.85 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS6D2N06CLTWG NVMYS6D2N06CL-D.PDF
NVMYS6D2N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS6D2N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 6100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 61W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS6D2N06CLTWG nvmys6d2n06cl-d.pdf
NVMYS6D2N06CLTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V LL LFPAK
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.