Продукція > ONSEMI > NVMYS7D3N04CLTWG
NVMYS7D3N04CLTWG

NVMYS7D3N04CLTWG onsemi

nvmys7d3n04cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.75 грн
6000+26.37 грн
9000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS7D3N04CLTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS7D3N04CLTWG за ціною від 24.71 грн до 111.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS7D3N04CLTWG NVMYS7D3N04CLTWG Виробник : onsemi NVMYS7D3N04CL_D-2319898.pdf MOSFETs 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel
на замовлення 6137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.10 грн
10+57.25 грн
100+37.28 грн
500+30.06 грн
1000+27.61 грн
3000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS7D3N04CLTWG NVMYS7D3N04CLTWG Виробник : onsemi nvmys7d3n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.89 грн
10+68.14 грн
100+45.31 грн
500+33.35 грн
1000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS7D3N04CLTWG Виробник : ONSEMI nvmys7d3n04cl-d.pdf NVMYS7D3N04CLTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.