Продукція > ONSEMI > NVMYS8D0N04CTWG
NVMYS8D0N04CTWG

NVMYS8D0N04CTWG ONSEMI

2850047.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+49.09 грн
500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS8D0N04CTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 38W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVMYS8D0N04CTWG за ціною від 25.09 грн до 119.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS8D0N04CTWG NVMYS8D0N04CTWG onsemi nvmys8d0n04c-d.pdf MOSFETs 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel
на замовлення 6282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.25 грн
10+65.49 грн
100+37.92 грн
500+29.67 грн
1000+27.07 грн
3000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS8D0N04CTWG NVMYS8D0N04CTWG ONSEMI 2850047.pdf Description: ONSEMI - NVMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.23 грн
12+73.76 грн
100+49.09 грн
500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS8D0N04CTWG nvmys8d0n04c-d.pdf
NVMYS8D0N04CTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel
на замовлення 6282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+105.25 грн
10+65.49 грн
100+37.92 грн
500+29.67 грн
1000+27.07 грн
3000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS8D0N04CTWG 2850047.pdf
NVMYS8D0N04CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+119.23 грн
12+73.76 грн
100+49.09 грн
500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.