Технічний опис NVNJWS200N031LTAG onsemi
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 4.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: XDFNW, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.
Інші пропозиції NVNJWS200N031LTAG за ціною від 17.58 грн до 63.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVNJWS200N031LTAG | onsemi |
 Description: MOSFET - POWER, N-CHANNEL WITH E |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NVNJWS200N031LTAG | onsemi |
MOSFETs SMALL SIGNAL REFRESH - T1 30V (N-CH) |
на замовлення 1766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
NVNJWS200N031LTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 4.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: XDFNW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
NVNJWS200N031LTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NVNJWS200N031LTAG |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET - POWER, N-CHANNEL WITH E
Description: MOSFET - POWER, N-CHANNEL WITH E
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 63.24 грн |
| 10+ | 37.85 грн |
| 50+ | 27.75 грн |
| 100+ | 22.97 грн |
| 500+ | 17.58 грн |
| NVNJWS200N031LTAG |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs SMALL SIGNAL REFRESH - T1 30V (N-CH)
MOSFETs SMALL SIGNAL REFRESH - T1 30V (N-CH)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NVNJWS200N031LTAG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 4.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 4.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVNJWS200N031LTAG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)