Продукція > ONSEMI > NVNJWS200N031LTAG
NVNJWS200N031LTAG

NVNJWS200N031LTAG onsemi

NVNJWS200N031L-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs SMALL SIGNAL REFRESH - T1 30V (N-CH)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVNJWS200N031LTAG onsemi

Description: MOSFET - POWER, N-CHANNEL WITH E, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 3.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVNJWS200N031LTAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVNJWS200N031LTAG NVNJWS200N031LTAG ONSEMI 4643414.pdf Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 4.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVNJWS200N031LTAG NVNJWS200N031LTAG ONSEMI 4643414.pdf Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVNJWS200N031LTAG 4643414.pdf
NVNJWS200N031LTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 4.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVNJWS200N031LTAG 4643414.pdf
NVNJWS200N031LTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVNJWS200N031LTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.2 ohm, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.