NVR1P02T1G ON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.23 грн |
| 6000+ | 10.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVR1P02T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NVR1P02T1G за ціною від 8.99 грн до 36.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVR1P02T1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVR1P02T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVR1P02T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVR1P02T1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs AUTOMOTIVE MOSFET |
на замовлення 11423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVR1P02T1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3 |
на замовлення 7975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|