Продукція > ONSEMI > NVR1P02T1G
NVR1P02T1G

NVR1P02T1G onsemi

ntr1p02t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.46 грн
6000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVR1P02T1G onsemi

Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NVR1P02T1G за ціною від 11.35 грн до 32.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVR1P02T1G NVR1P02T1G onsemi ntr1p02t1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.33 грн
12+26.68 грн
100+19.92 грн
500+14.69 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR1P02T1G NVR1P02T1G onsemi ntr1p02t1-d.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE MOSFET
на замовлення 11423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVR1P02T1G NVR1P02T1G ONSEMI ONSM-S-A0011214902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR1P02T1G NVR1P02T1G ONSEMI ONSM-S-A0011214902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR1P02T1G ntr1p02t1-d.pdf
NVR1P02T1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.33 грн
12+26.68 грн
100+19.92 грн
500+14.69 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR1P02T1G ntr1p02t1-d.pdf
NVR1P02T1G
Виробник: onsemi
MOSFETs AUTOMOTIVE MOSFET
на замовлення 11423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVR1P02T1G ONSM-S-A0011214902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVR1P02T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR1P02T1G ONSM-S-A0011214902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVR1P02T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVR1P02T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.148ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.