NVR4003NT3G ON Semiconductor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 4.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVR4003NT3G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 690mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVR4003NT3G за ціною від 3.36 грн до 21.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVR4003NT3G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVR4003NT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVR4003NT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVR4003NT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVR4003NT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVR4003NT3G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET 30V .56A 1500M |
на замовлення 178084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVR4003NT3G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 52541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVR4003NT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVR4003NT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVR4003NT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NVR4003NT3G | Виробник : ON Semiconductor |
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 500 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 21 pF @ 5 V; Опис N-канальний ПТ; Р, Вт = 0,69; Тип монт. = smd; Automotive; SOT-23-3 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 3 дні (днів) |