NVR5124PLT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.85 грн |
| 6000+ | 11.71 грн |
| 9000+ | 11.42 грн |
| 15000+ | 10.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVR5124PLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVR5124PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.183 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NVR5124PLT1G за ціною від 8.81 грн до 47.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVR5124PLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVR5124PLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVR5124PLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR5124PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.183 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 73155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVR5124PLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR5124PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.183 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 73155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVR5124PLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs T1 60V PCH |
на замовлення 225798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVR5124PLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.67A; 0.19W; SOT23 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.67A Power dissipation: 0.19W On-state resistance: 0.23Ω Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVR5124PLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVR5124PLT1G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NVR5124PLT1G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NVR5124PLT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 NVR5124PLT1G TNVR5124pl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
NVR5124PLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NVR5124PLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |