Продукція > ONSEMI > NVR5124PLT1G
NVR5124PLT1G

NVR5124PLT1G ONSEMI

nvr5124pl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.67A; 0.19W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.67A
Power dissipation: 0.19W
On-state resistance: 0.23Ω
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+44.17 грн
15+28.96 грн
50+21.26 грн
100+18.58 грн
500+13.48 грн
1000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVR5124PLT1G ONSEMI

Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 470mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVR5124PLT1G за ціною від 11.78 грн до 47.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVR5124PLT1G NVR5124PLT1G Виробник : onsemi nvr5124pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.72 грн
11+28.55 грн
100+18.36 грн
500+13.10 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G Виробник : ON-Semiconductor nvr5124pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 NVR5124PLT1G TNVR5124pl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G NVR5124PLT1G Виробник : onsemi nvr5124pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.