| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.47 грн |
| 12+ | 27.63 грн |
| 100+ | 16.36 грн |
| 500+ | 12.77 грн |
| 1000+ | 11.18 грн |
| 3000+ | 8.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVR5124PLT1G onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 470mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVR5124PLT1G за ціною від 11.69 грн до 47.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVR5124PLT1G | ONSEMI |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.67A; 0.19W; SOT23 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.67A Power dissipation: 0.19W On-state resistance: 0.23Ω Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVR5124PLT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVR5124PLT1G | ON-Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 NVR5124PLT1G TNVR5124pl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NVR5124PLT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.67A; 0.19W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.67A
Power dissipation: 0.19W
On-state resistance: 0.23Ω
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.67A; 0.19W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.67A
Power dissipation: 0.19W
On-state resistance: 0.23Ω
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 43.85 грн |
| 15+ | 28.75 грн |
| 50+ | 21.11 грн |
| 100+ | 18.45 грн |
| 500+ | 13.38 грн |
| 1000+ | 12.55 грн |
| NVR5124PLT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.37 грн |
| 11+ | 28.34 грн |
| 100+ | 18.23 грн |
| 500+ | 13.01 грн |
| 1000+ | 11.69 грн |
| NVR5124PLT1G |
|
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 NVR5124PLT1G TNVR5124pl
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 NVR5124PLT1G TNVR5124pl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 16.25 грн |