
NVR5124PLT1G ON Semiconductor
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 9.67 грн |
6000+ | 9.55 грн |
9000+ | 9.31 грн |
15000+ | 8.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVR5124PLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVR5124PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.183 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NVR5124PLT1G за ціною від 8.24 грн до 38.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVR5124PLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVR5124PLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVR5124PLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVR5124PLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVR5124PLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 73155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVR5124PLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.67A; 0.19W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.67A Power dissipation: 0.19W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVR5124PLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 73155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVR5124PLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 11605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVR5124PLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 225798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NVR5124PLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.67A; 0.19W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.67A Power dissipation: 0.19W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2342 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NVR5124PLT1G | Виробник : Aptina Imaging |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVR5124PLT1G | Виробник : Aptina Imaging |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVR5124PLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NVR5124PLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |