Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVR5124PLT1G
NVR5124PLT1G

NVR5124PLT1G ON Semiconductor

nvr5124pl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.07 грн
6000+11.92 грн
9000+11.63 грн
15000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVR5124PLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVR5124PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.183 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NVR5124PLT1G за ціною від 10.29 грн до 47.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVR5124PLT1G NVR5124PLT1G ON Semiconductor nvr5124pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.48 грн
6000+12.29 грн
9000+11.92 грн
15000+11.25 грн
21000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G NVR5124PLT1G ON Semiconductor nvr5124pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.07 грн
6000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G NVR5124PLT1G onsemi nvr5124pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.71 грн
11+28.54 грн
100+18.35 грн
500+13.10 грн
1000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G NVR5124PLT1G onsemi nvr5124pl-d.pdf MOSFETs T1 60V PCH
на замовлення 225798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G NVR5124PLT1G ONSEMI 2578371.pdf Description: ONSEMI - NVR5124PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.183 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 73155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G NVR5124PLT1G ONSEMI 2578371.pdf Description: ONSEMI - NVR5124PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.183 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 73155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G Aptina Imaging nvr5124pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.31 грн
6000+12.16 грн
9000+11.85 грн
15000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G Aptina Imaging nvr5124pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.48 грн
6000+12.29 грн
9000+11.92 грн
15000+11.25 грн
21000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G ON-Semiconductor nvr5124pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 NVR5124PLT1G TNVR5124pl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G nvr5124pl-d.pdf
NVR5124PLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.48 грн
6000+12.29 грн
9000+11.92 грн
15000+11.25 грн
21000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G nvr5124pl-d.pdf
NVR5124PLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.07 грн
6000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G nvr5124pl-d.pdf
NVR5124PLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.71 грн
11+28.54 грн
100+18.35 грн
500+13.10 грн
1000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G nvr5124pl-d.pdf
NVR5124PLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T1 60V PCH
на замовлення 225798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G 2578371.pdf
NVR5124PLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVR5124PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.183 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 73155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G 2578371.pdf
NVR5124PLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVR5124PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.183 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.183ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 73155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G nvr5124pl-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.31 грн
6000+12.16 грн
9000+11.85 грн
15000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G nvr5124pl-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.48 грн
6000+12.29 грн
9000+11.92 грн
15000+11.25 грн
21000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR5124PLT1G nvr5124pl-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 NVR5124PLT1G TNVR5124pl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.