NVR5198NLT1G ON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVR5198NLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NVR5198NLT1G за ціною від 7.12 грн до 46.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVR5198NLT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVR5198NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVR5198NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 28579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVR5198NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 Gate charge: 5.1nC On-state resistance: 0.205Ω Power dissipation: 0.4W Drain current: 1.2A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar Application: automotive industry |
на замовлення 1683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVR5198NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH |
на замовлення 32339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVR5198NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 Gate charge: 5.1nC On-state resistance: 0.205Ω Power dissipation: 0.4W Drain current: 1.2A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1683 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVR5198NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR5198NLT1G - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|