NVS4001NT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.91 грн |
| 500+ | 8.91 грн |
| 1000+ | 7.11 грн |
| 5000+ | 6.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVS4001NT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NVS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NVS4001NT1G за ціною від 5.37 грн до 31.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVS4001NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET SC70 20V 238MA 1.5OH |
на замовлення 18333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVS4001NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVS4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVS4001NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NVS4001NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |