Продукція > ONSEMI > NVS4001NT1G
NVS4001NT1G

NVS4001NT1G onsemi


nts4001n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.93 грн
6000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVS4001NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVS4001NT1G за ціною від 5.34 грн до 31.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVS4001NT1G NVS4001NT1G Виробник : ONSEMI 1748870.pdf Description: ONSEMI - NVS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.84 грн
500+8.87 грн
1000+7.08 грн
5000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVS4001NT1G NVS4001NT1G Виробник : onsemi nts4001n-d.pdf MOSFETs NFET SC70 20V 238MA 1.5OH
на замовлення 18333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.57 грн
19+17.39 грн
100+9.57 грн
500+7.15 грн
1000+6.38 грн
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVS4001NT1G NVS4001NT1G Виробник : onsemi nts4001n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.88 грн
18+17.36 грн
100+10.95 грн
500+7.66 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVS4001NT1G NVS4001NT1G Виробник : ONSEMI 1748870.pdf Description: ONSEMI - NVS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+31.73 грн
37+22.26 грн
100+13.84 грн
500+8.87 грн
1000+7.08 грн
5000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVS4001NT1G NVS4001NT1G Виробник : ON Semiconductor nts4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.