NVTFS002N04CLTAG ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS002N04CLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 142 A, 2200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 85W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS002N04CLTAG ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS002N04CLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 142 A, 2200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 142A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 85W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.
Інші пропозиції NVTFS002N04CLTAG за ціною від 62.10 грн до 226.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS002N04CLTAG | onsemi |
MOSFETs 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVTFS002N04CLTAG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVTFS002N04CLTAG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVTFS002N04CLTAG |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel
MOSFETs 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.13 грн |
| 10+ | 139.41 грн |
| 100+ | 86.69 грн |
| 500+ | 73.30 грн |
| 1000+ | 62.45 грн |
| 1500+ | 62.10 грн |
| NVTFS002N04CLTAG |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.78 грн |
| 10+ | 145.31 грн |
| 100+ | 101.31 грн |
| NVTFS002N04CLTAG |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)