на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.54 грн |
| 10+ | 153.91 грн |
| 100+ | 96.03 грн |
| 500+ | 82.42 грн |
| 1000+ | 75.46 грн |
| 1500+ | 69.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS002N04CTAG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 136A, Pulsed drain current: 676A, Power dissipation: 27W, Case: WDFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 34nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NVTFS002N04CTAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS002N04CTAG | Виробник : ON Semiconductor |
 Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|
| NVTFS002N04CTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 136A Pulsed drain current: 676A Power dissipation: 27W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| NVTFS002N04CTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 136A Pulsed drain current: 676A Power dissipation: 27W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |