Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVTFS014P04M8LTAG
NVTFS014P04M8LTAG

NVTFS014P04M8LTAG ON Semiconductor

nvtfs014p04m8l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 11.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS014P04M8LTAG ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFS014P04M8LTAG за ціною від 25.89 грн до 98.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs014p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+35.78 грн
3000+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs014p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.31 грн
3000+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs014p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
656+47.22 грн
1000+43.55 грн
10000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ONSEMI 2913030.pdf Description: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : onsemi nvtfs014p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.91 грн
10+55.29 грн
100+41.56 грн
500+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : onsemi 45AA6EDC68DCAB8EF85F5657BE287E40901005C6B859F184C90D2217FAAF5A29.pdf MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mohm, -49 A
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.77 грн
10+60.33 грн
100+39.48 грн
500+34.21 грн
1000+29.78 грн
1500+26.04 грн
3000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ONSEMI 2913030.pdf Description: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.52 грн
14+65.54 грн
100+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ON Semiconductor NVTFS014P04M8L_D-2319645.pdf MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs014p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs014p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : onsemi nvtfs014p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ONSEMI nvtfs014p04m8l-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -49A; Idm: -224A; 30W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -49A
Pulsed drain current: -224A
Power dissipation: 30W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.