Продукція > ONSEMI > NVTFS014P04M8LTAG
NVTFS014P04M8LTAG

NVTFS014P04M8LTAG ONSEMI

nvtfs014p04m8l-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+44.34 грн
500+ 28.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS014P04M8LTAG ONSEMI

Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFS014P04M8LTAG за ціною від 24.43 грн до 78.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : onsemi nvtfs014p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.72 грн
10+ 52.09 грн
100+ 40.49 грн
500+ 32.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : onsemi NVTFS014P04M8L_D-2319645.pdf MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.74 грн
10+ 58.43 грн
100+ 39.52 грн
500+ 33.51 грн
1000+ 27.24 грн
1500+ 25.7 грн
3000+ 24.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ONSEMI nvtfs014p04m8l-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+78.64 грн
13+ 61.71 грн
100+ 44.34 грн
500+ 28.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ON Semiconductor NVTFS014P04M8L_D-2319645.pdf MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : onsemi nvtfs014p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній