Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVTFS014P04M8LTAG
NVTFS014P04M8LTAG

NVTFS014P04M8LTAG ON Semiconductor

nvtfs014p04m8l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 11.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS014P04M8LTAG ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFS014P04M8LTAG за ціною від 25.63 грн до 95.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : onsemi nvtfs014p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ONSEMI 2913030.pdf Description: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.47 грн
500+32.29 грн
1500+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : onsemi nvtfs014p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.16 грн
10+60.57 грн
100+46.66 грн
500+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : onsemi 45AA6EDC68DCAB8EF85F5657BE287E40901005C6B859F184C90D2217FAAF5A29.pdf MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mohm, -49 A
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.86 грн
10+59.74 грн
100+39.09 грн
500+33.88 грн
1000+29.49 грн
1500+25.78 грн
3000+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ONSEMI 2913030.pdf Description: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.00 грн
14+64.38 грн
100+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ON Semiconductor NVTFS014P04M8L_D-2319645.pdf MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ONSEMI nvtfs014p04m8l-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -49A; Idm: -224A; 30W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -224A
Drain current: -49A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 13.8mΩ
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS014P04M8LTAG Виробник : ONSEMI nvtfs014p04m8l-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -49A; Idm: -224A; 30W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -224A
Drain current: -49A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 13.8mΩ
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.