Продукція > ONSEMI > NVTFS016N06CTAG
NVTFS016N06CTAG

NVTFS016N06CTAG onsemi

nvtfs016n06c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+37.41 грн
3000+33.49 грн
4500+33.45 грн
7500+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS016N06CTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFS016N06CTAG за ціною від 33.98 грн до 114.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS016N06CTAG NVTFS016N06CTAG Виробник : onsemi nvtfs016n06c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.22 грн
10+69.13 грн
100+48.58 грн
500+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAG NVTFS016N06CTAG Виробник : onsemi NVTFS016N06C-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 16.3 mohm, 32 A
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.04 грн
10+76.32 грн
100+46.58 грн
500+40.09 грн
1000+35.36 грн
1500+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs016n06c-d.pdf Single N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS016N06CTAG Виробник : ONSEMI nvtfs016n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 32A; Idm: 160A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.