
NVTFS020N06CTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 34.82 грн |
3000+ | 31.31 грн |
4500+ | 30.62 грн |
7500+ | 28.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS020N06CTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVTFS020N06CTAG за ціною від 34.36 грн до 109.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVTFS020N06CTAG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVTFS020N06CTAG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NVTFS020N06CTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NVTFS020N06CTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
NVTFS020N06CTAG | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |