NVTFS027N10MCLTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL U8FL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 21.01 грн |
| 3000+ | 17.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS027N10MCLTAG onsemi
Description: PTNG 100V LL U8FL, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NVTFS027N10MCLTAG за ціною від 22.93 грн до 72.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVTFS027N10MCLTAG | onsemi |
Description: PTNG 100V LL U8FLQualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NVTFS027N10MCLTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NVTFS027N10MCLTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NVTFS027N10MCLTAG | onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm |
на замовлення 6042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVTFS027N10MCLTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL U8FL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: PTNG 100V LL U8FL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.51 грн |
| 10+ | 45.59 грн |
| 100+ | 30.93 грн |
| 500+ | 22.93 грн |
| NVTFS027N10MCLTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 72.61 грн |
| 3000+ | 72.13 грн |
| NVTFS027N10MCLTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 72.66 грн |
| 3000+ | 72.17 грн |
| NVTFS027N10MCLTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



