Продукція > ONSEMI > NVTFS040N10MCLTAG
NVTFS040N10MCLTAG

NVTFS040N10MCLTAG onsemi

nvtfs040n10mcl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS040N10MCLTAG onsemi

Description: PTNG 100V LL U8FL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFS040N10MCLTAG за ціною від 14.51 грн до 65.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS040N10MCLTAG NVTFS040N10MCLTAG Виробник : onsemi nvtfs040n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.96 грн
10+41.45 грн
100+28.26 грн
500+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS040N10MCLTAG NVTFS040N10MCLTAG Виробник : onsemi NVTFS040N10MCL-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26mohm
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.93 грн
10+44.97 грн
100+26.65 грн
500+21.61 грн
1000+20.47 грн
1500+15.43 грн
3000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS040N10MCLTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs040n10mcl-d.pdf Power MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS040N10MCLTAG Виробник : ONSEMI nvtfs040n10mcl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 82A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.