NVTFS4C02NTAG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 66.37 грн |
| 3000+ | 62.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS4C02NTAG onsemi
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 162A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: WDFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NVTFS4C02NTAG за ціною від 49.26 грн до 206.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS4C02NTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C02NTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 0.0019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTFS4C02NTAG | Виробник : onsemi |
MOSFETs MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C02NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 11943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTFS4C02NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C02NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C02NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NVTFS4C02NTAG | Виробник : ONSEMI |
NVTFS4C02NTAG SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
NVTFS4C02NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 28.3A Automotive T/R |
товару немає в наявності |