NVTFS4C02NWFTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 248.47 грн |
| 10+ | 155.56 грн |
| 50+ | 119.75 грн |
| 100+ | 101.57 грн |
| 500+ | 82.61 грн |
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Технічний опис NVTFS4C02NWFTAG onsemi
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 162A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: WDFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NVTFS4C02NWFTAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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NVTFS4C02NWFTAG | onsemi |
MOSFETs T6 30V U8FL |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NVTFS4C02NWFTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1900 µohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVTFS4C02NWFTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1900 µohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NVTFS4C02NWFTAG |
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Виробник: onsemi
MOSFETs T6 30V U8FL
MOSFETs T6 30V U8FL
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NVTFS4C02NWFTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 162A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVTFS4C02NWFTAG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
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Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVTFS4C02NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 162 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



