Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVTFS4C05NTAG
NVTFS4C05NTAG

NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor

nvtfs4c05nd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 538500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+80.21 грн
223+64.57 грн
500+57.98 грн
1000+54.24 грн
1500+45.32 грн
3000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 180 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 102A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 68W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.

Інші пропозиції NVTFS4C05NTAG за ціною від 40.32 грн до 191.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor nvtfs4c05nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 538500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.96 грн
10+80.21 грн
100+64.57 грн
500+55.90 грн
1000+50.22 грн
1500+43.51 грн
3000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor nvtfs4c05nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+106.33 грн
137+105.26 грн
139+104.20 грн
250+99.46 грн
500+91.14 грн
1000+86.59 грн
3000+85.67 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor nvtfs4c05nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.38 грн
10+106.33 грн
25+105.26 грн
100+100.48 грн
250+92.09 грн
500+87.49 грн
1000+86.59 грн
3000+85.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor nvtfs4c05nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+108.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG onsemi nvtfs4c05n-d.pdf Description: NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.05 грн
10+113.70 грн
50+86.38 грн
100+72.78 грн
500+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG onsemi nvtfs4c05n-d.pdf MOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 50 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+191.51 грн
10+120.75 грн
100+71.87 грн
500+60.85 грн
1000+53.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG ONSEMI nvtfs4c05n-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG ONSEMI nvtfs4c05n-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG nvtfs4c05nd.pdf
NVTFS4C05NTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 538500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+98.96 грн
10+80.21 грн
100+64.57 грн
500+55.90 грн
1000+50.22 грн
1500+43.51 грн
3000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG nvtfs4c05nd.pdf
NVTFS4C05NTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+106.33 грн
137+105.26 грн
139+104.20 грн
250+99.46 грн
500+91.14 грн
1000+86.59 грн
3000+85.67 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG nvtfs4c05nd.pdf
NVTFS4C05NTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+107.38 грн
10+106.33 грн
25+105.26 грн
100+100.48 грн
250+92.09 грн
500+87.49 грн
1000+86.59 грн
3000+85.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG nvtfs4c05nd.pdf
NVTFS4C05NTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+108.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG nvtfs4c05n-d.pdf
NVTFS4C05NTAG
Виробник: onsemi
Description: NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.05 грн
10+113.70 грн
50+86.38 грн
100+72.78 грн
500+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG nvtfs4c05n-d.pdf
NVTFS4C05NTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 50 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.51 грн
10+120.75 грн
100+71.87 грн
500+60.85 грн
1000+53.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG nvtfs4c05n-d.pdf
NVTFS4C05NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG nvtfs4c05n-d.pdf
NVTFS4C05NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.