NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor
на замовлення 538500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 180+ | 70.61 грн |
| 223+ | 56.84 грн |
| 500+ | 51.03 грн |
| 1000+ | 47.74 грн |
| 1500+ | 39.89 грн |
| 3000+ | 35.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 102A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NVTFS4C05NTAG за ціною від 38.02 грн до 169.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS4C05NTAG | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C05NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 538500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C05NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C05NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C05NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NVTFS4C05NTAG | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C05NTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C05NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C05NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
NVTFS4C05NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
NVTFS4C05NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C05NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |