NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 180+ | 78.63 грн |
| 223+ | 63.30 грн |
| 500+ | 56.83 грн |
| 1000+ | 53.17 грн |
| 1500+ | 44.43 грн |
| 3000+ | 39.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 102A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 68W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.
Інші пропозиції NVTFS4C05NTAG за ціною від 39.52 грн до 106.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVTFS4C05NTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 538500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NVTFS4C05NTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NVTFS4C05NTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NVTFS4C05NTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NVTFS4C05NTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 68W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C05NTAG | onsemi |
MOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NVTFS4C05NTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 68W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVTFS4C05NTAG | ONN |
|
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVTFS4C05NTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 538500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 97.02 грн |
| 10+ | 78.63 грн |
| 100+ | 63.30 грн |
| 500+ | 54.80 грн |
| 1000+ | 49.23 грн |
| 1500+ | 42.65 грн |
| 3000+ | 39.52 грн |
| NVTFS4C05NTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 136+ | 104.23 грн |
| 137+ | 103.19 грн |
| 139+ | 102.15 грн |
| 250+ | 97.50 грн |
| 500+ | 89.34 грн |
| 1000+ | 84.88 грн |
| 3000+ | 83.99 грн |
| NVTFS4C05NTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 105.27 грн |
| 10+ | 104.23 грн |
| 25+ | 103.19 грн |
| 100+ | 98.50 грн |
| 250+ | 90.27 грн |
| 500+ | 85.77 грн |
| 1000+ | 84.88 грн |
| 3000+ | 83.99 грн |
| NVTFS4C05NTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 106.03 грн |
| NVTFS4C05NTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVTFS4C05NTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
MOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NVTFS4C05NTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVTFS4C05NTAG |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




