Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVTFS4C05NTAG
NVTFS4C05NTAG

NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor

nvtfs4c05nd.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 538500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+69.46 грн
223+55.91 грн
500+50.20 грн
1000+46.97 грн
1500+39.24 грн
3000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 102A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVTFS4C05NTAG за ціною від 37.40 грн до 163.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs4c05nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 538500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+91.82 грн
10+74.42 грн
100+59.91 грн
500+51.87 грн
1000+46.59 грн
1500+40.37 грн
3000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs4c05nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+92.07 грн
137+91.15 грн
139+90.23 грн
250+86.12 грн
500+78.92 грн
1000+74.98 грн
3000+74.19 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs4c05nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+93.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs4c05nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+99.63 грн
10+98.65 грн
25+97.66 грн
100+93.23 грн
250+85.44 грн
500+81.17 грн
1000+80.33 грн
3000+79.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : ONSEMI nvtfs4c05n-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+139.02 грн
10+92.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : onsemi nvtfs4c05n-d.pdf MOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.21 грн
10+107.54 грн
100+66.07 грн
500+52.38 грн
1000+46.00 грн
1500+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : ONSEMI nvtfs4c05n-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 3600 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs4c05nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs4c05nd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs4c05n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : onsemi nvtfs4c05n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG NVTFS4C05NTAG Виробник : onsemi nvtfs4c05n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NTAG Виробник : ONSEMI nvtfs4c05n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 433A; 34W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 433A
Power dissipation: 34W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.