Продукція > ONSEMI > NVTFS4C05NWFTAG
NVTFS4C05NWFTAG

NVTFS4C05NWFTAG ONSEMI

2907482.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+84.38 грн
500+60.00 грн
1000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS4C05NWFTAG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 102A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 68W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm.

Інші пропозиції NVTFS4C05NWFTAG за ціною від 50.21 грн до 177.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C05NWFTAG ONSEMI 2907482.pdf Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.83 грн
10+99.65 грн
100+84.38 грн
500+60.00 грн
1000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C05NWFTAG onsemi NVTFS4C05N-D.PDF MOSFETs NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.60 грн
10+114.07 грн
100+71.64 грн
500+56.07 грн
1000+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C05NWFTAG ON Semiconductor NVTFS4C05N-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAG ON Semiconductor NVTFS4C05N-D.PDF
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAG 2907482.pdf
NVTFS4C05NWFTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+139.83 грн
10+99.65 грн
100+84.38 грн
500+60.00 грн
1000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C05N-D.PDF
NVTFS4C05NWFTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+177.60 грн
10+114.07 грн
100+71.64 грн
500+56.07 грн
1000+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C05N-D.PDF
NVTFS4C05NWFTAG
Виробник: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C05N-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.