Продукція > ONSEMI > NVTFS4C05NWFTAG
NVTFS4C05NWFTAG

NVTFS4C05NWFTAG ONSEMI

NVTFS4C05N-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.91 грн
500+53.49 грн
1000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS4C05NWFTAG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 102A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVTFS4C05NWFTAG за ціною від 49.30 грн до 110.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C05NWFTAG Виробник : ONSEMI NVTFS4C05N-D.PDF Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+107.29 грн
10+97.38 грн
100+77.91 грн
500+53.49 грн
1000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C05NWFTAG Виробник : onsemi NVTFS4C05N_D-1814656.pdf MOSFETs NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.72 грн
10+98.99 грн
100+69.01 грн
250+68.93 грн
500+56.65 грн
1500+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAG NVTFS4C05NWFTAG Виробник : ON Semiconductor NVTFS4C05N-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAG Виробник : ON Semiconductor NVTFS4C05N-D.PDF
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAG Виробник : ON Semiconductor NVTFS4C05N-D-515622.pdf MOSFET NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C05NWFTAG Виробник : ONSEMI NVTFS4C05N-D.PDF NVTFS4C05NWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.