Продукція > ONSEMI > NVTFS4C06NTAG
NVTFS4C06NTAG

NVTFS4C06NTAG onsemi

nvtfs4c06n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS4C06NTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFS4C06NTAG за ціною від 39.62 грн до 134.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS4C06NTAG NVTFS4C06NTAG Виробник : onsemi nvtfs4c06n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.60 грн
10+83.33 грн
100+58.94 грн
500+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAG NVTFS4C06NTAG Виробник : onsemi 69E3550A4F943E3ED51DB10DAA6846EA768575636E60D31F08B963F839FA9A77.pdf MOSFETs NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.97 грн
10+91.30 грн
100+55.73 грн
500+47.26 грн
1000+42.72 грн
1500+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAG NVTFS4C06NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAG Виробник : ONSEMI nvtfs4c06n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; Idm: 367A; 37W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 37W
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 367A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAG NVTFS4C06NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTAG Виробник : ONSEMI nvtfs4c06n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; Idm: 367A; 37W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 37W
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 367A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.