Продукція > ONSEMI > NVTFS4C06NTWG
NVTFS4C06NTWG

NVTFS4C06NTWG onsemi

nvtfs4c06n-d.pdf Виробник: onsemi
MOSFETs NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.98 грн
10+101.28 грн
100+60.84 грн
250+60.77 грн
500+49.10 грн
1000+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS4C06NTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NVTFS4C06NTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS4C06NTWG Виробник : ONSEMI nvtfs4c06n-d.pdf NVTFS4C06NTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTWG NVTFS4C06NTWG Виробник : ON Semiconductor nvtfs4c06n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTWG NVTFS4C06NTWG Виробник : onsemi nvtfs4c06n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NTWG NVTFS4C06NTWG Виробник : onsemi nvtfs4c06n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.