NVTFS4C08NTAG ON Semiconductor
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 465+ | 67.03 грн |
| 517+ | 60.33 грн |
| 1000+ | 55.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS4C08NTAG ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVTFS4C08NTAG за ціною від 39.23 грн до 150.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVTFS4C08NTAG | Виробник : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NVTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
NVTFS4C08NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
NVTFS4C08NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
NVTFS4C08NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |

