Продукція > ONSEMI > NVTFS4C08NTWG
NVTFS4C08NTWG

NVTFS4C08NTWG onsemi

nvtfs4c08n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+121.76 грн
10+74.36 грн
100+49.91 грн
500+37.01 грн
1000+33.85 грн
2000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS4C08NTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NVTFS4C08NTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVTFS4C08NTWG NVTFS4C08NTWG onsemi nvtfs4c08n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTWG NVTFS4C08NTWG onsemi NVTFS4C08N_D-2319699.pdf MOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTWG nvtfs4c08n-d.pdf
NVTFS4C08NTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTWG NVTFS4C08N_D-2319699.pdf
NVTFS4C08NTWG
Виробник: onsemi
MOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.