NVTFS4C08NTWG Rochester Electronics, LLC
на замовлення 27661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS4C08NTWG Rochester Electronics, LLC
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 253A; 31W; WDFN8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 55A, Pulsed drain current: 253A, Power dissipation: 31W, Case: WDFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 18.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції NVTFS4C08NTWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS4C08NTWG | Виробник : ON Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN |
товару немає в наявності |
|
 |
NVTFS4C08NTWG | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM |
товару немає в наявності |
|
| NVTFS4C08NTWG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 253A; 31W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 55A Pulsed drain current: 253A Power dissipation: 31W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |