Продукція > ONSEMI > NVTFS4C13NETAG
NVTFS4C13NETAG

NVTFS4C13NETAG onsemi

nvtfs4c13n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.29 грн
10+37.86 грн
100+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS4C13NETAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFS4C13NETAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0094 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 26W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm.

Інші пропозиції NVTFS4C13NETAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVTFS4C13NETAG NVTFS4C13NETAG onsemi nvtfs4c13n-d.pdf MOSFETs NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NETAG NVTFS4C13NETAG ONSEMI nvtfs4c13n-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFS4C13NETAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0094 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 26W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NETAG nvtfs4c13n-d.pdf
NVTFS4C13NETAG
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NETAG nvtfs4c13n-d.pdf
NVTFS4C13NETAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NETAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0094 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 26W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.