Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVTFS4C13NTAG
NVTFS4C13NTAG

NVTFS4C13NTAG ON Semiconductor

nvtfs4c13n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
713+19.79 грн
732+19.30 грн
733+18.59 грн
740+17.04 грн
1000+16.26 грн
3000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS4C13NTAG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVTFS4C13NTAG за ціною від 16.17 грн до 68.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVTFS4C13NTAG NVTFS4C13NTAG ON Semiconductor nvtfs4c13n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAG NVTFS4C13NTAG ON Semiconductor nvtfs4c13n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.03 грн
37+20.57 грн
39+19.09 грн
100+17.23 грн
250+16.52 грн
500+16.35 грн
1000+16.26 грн
3000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAG NVTFS4C13NTAG onsemi nvtfs4c13n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.82 грн
10+54.07 грн
100+42.05 грн
500+33.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAG NVTFS4C13NTAG ONSEMI ONSM-S-A0013579321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAG NVTFS4C13NTAG ONSEMI ONSM-S-A0013579321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAG nvtfs4c13n-d.pdf
NVTFS4C13NTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAG nvtfs4c13n-d.pdf
NVTFS4C13NTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+34.03 грн
37+20.57 грн
39+19.09 грн
100+17.23 грн
250+16.52 грн
500+16.35 грн
1000+16.26 грн
3000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAG nvtfs4c13n-d.pdf
NVTFS4C13NTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.82 грн
10+54.07 грн
100+42.05 грн
500+33.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAG ONSM-S-A0013579321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTFS4C13NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAG ONSM-S-A0013579321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTFS4C13NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.