NVTFS4C13NTAG ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 713+ | 17.36 грн |
| 732+ | 16.92 грн |
| 733+ | 16.30 грн |
| 740+ | 14.94 грн |
| 1000+ | 14.26 грн |
| 3000+ | 14.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS4C13NTAG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVTFS4C13NTAG за ціною від 15.19 грн до 123.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVTFS4C13NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C13NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NVTFS4C13NTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NVTFS4C13NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C13NTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C13NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
NVTFS4C13NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
NVTFS4C13NTAG | Виробник : onsemi |
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| NVTFS4C13NTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 152A; 13W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 152A Power dissipation: 13W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |