 
на замовлення 17621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 7+ | 52.21 грн | 
| 10+ | 46.81 грн | 
| 100+ | 33.14 грн | 
| 500+ | 30.39 грн | 
| 1000+ | 29.94 грн | 
| 1500+ | 26.42 грн | 
| 3000+ | 22.76 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS4C25NTAG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 22.1A, Pulsed drain current: 90A, Power dissipation: 8.6W, Case: WDFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 10.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement. 
Інші пропозиції NVTFS4C25NTAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
|   | NVTFS4C25NTAG | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | |
|   | NVTFS4C25NTAG | Виробник : ON Semiconductor |  Description: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL | товару немає в наявності | |
| NVTFS4C25NTAG | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22.1A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 8.6W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності |