Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS4C25NTAG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8, Pulsed drain current: 90A, Power dissipation: 8.6W, Gate charge: 10.3nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 22.1A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: WDFN8, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: SMD.
Інші пропозиції NVTFS4C25NTAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
NVTFS4C25NTAG | ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NVTFS4C25NTAG | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8 Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 8.6W Gate charge: 10.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 22.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: WDFN8 On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
NVTFS4C25NTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
| NVTFS4C25NTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
Description: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NVTFS4C25NTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 8.6W
Gate charge: 10.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 8.6W
Gate charge: 10.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NVTFS4C25NTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.




