Продукція > ONSEMI > NVTFS4C25NTAG

NVTFS4C25NTAG onsemi


NVTFS4C25N_D-2319700.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET U8FL 30V 27A 17MOHM
на замовлення 17621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS4C25NTAG onsemi

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8, Pulsed drain current: 90A, Power dissipation: 8.6W, Gate charge: 10.3nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 22.1A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: WDFN8, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: SMD.

Інші пропозиції NVTFS4C25NTAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVTFS4C25NTAG NVTFS4C25NTAG ON Semiconductor NVTFS4C25N-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAG ONSEMI NVTFS4C25N-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 8.6W
Gate charge: 10.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAG NVTFS4C25NTAG ON Semiconductor nvtfs4c25n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAG NVTFS4C25N-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAG NVTFS4C25N-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22.1A; Idm: 90A; 8.6W; WDFN8
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 8.6W
Gate charge: 10.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAG nvtfs4c25n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.