Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVTFS5116PLTAG
NVTFS5116PLTAG

NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor

nvtfs5116pl-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS5116PLTAG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NVTFS5116PLTAG за ціною від 22.20 грн до 106.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+27.34 грн
3000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Виробник : onsemi nvtfs5116pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+29.42 грн
3000+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+29.75 грн
3000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
290+42.08 грн
293+41.66 грн
351+34.73 грн
357+32.95 грн
500+26.92 грн
1000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+46.94 грн
16+39.08 грн
25+38.68 грн
100+31.10 грн
250+28.33 грн
500+24.00 грн
1000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0015182054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.80 грн
200+39.36 грн
500+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Виробник : onsemi NVTFS5116PL_D-2319932.pdf MOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 13493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.86 грн
10+53.78 грн
100+36.89 грн
500+31.40 грн
1000+26.72 грн
1500+24.87 грн
3000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0015182054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.28 грн
15+59.38 грн
50+51.55 грн
200+40.52 грн
500+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Виробник : ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.11 грн
10+55.21 грн
26+36.11 грн
70+34.18 грн
500+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Виробник : onsemi nvtfs5116pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.36 грн
10+60.70 грн
100+41.88 грн
500+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Виробник : ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.93 грн
10+68.80 грн
26+43.33 грн
70+41.01 грн
500+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.