Продукція > ONSEMI > NVTFS5116PLTWG
NVTFS5116PLTWG

NVTFS5116PLTWG onsemi

nvtfs5116pl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+28.17 грн
10000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS5116PLTWG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 21W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm.

Інші пропозиції NVTFS5116PLTWG за ціною від 30.05 грн до 68.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVTFS5116PLTWG NVTFS5116PLTWG ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.06 грн
265+53.16 грн
297+47.35 грн
306+44.35 грн
500+36.71 грн
1000+34.67 грн
3000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG NVTFS5116PLTWG ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
595+59.13 грн
1000+54.52 грн
10000+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG NVTFS5116PLTWG ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.05 грн
14+54.06 грн
25+53.16 грн
100+45.65 грн
250+41.07 грн
500+35.24 грн
1000+34.67 грн
3000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG NVTFS5116PLTWG onsemi nvtfs5116pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.51 грн
10+50.25 грн
100+40.33 грн
500+30.19 грн
1000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG NVTFS5116PLTWG ONSEMI ONSM-S-A0015182054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 21W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG NVTFS5116PLTWG onsemi nvtfs5116pl-d.pdf MOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG NVTFS5116PLTWG ONSEMI ONSM-S-A0015182054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG ONN nvtfs5116pl-d.pdf
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG nvtfs5116pl-d.pdf
NVTFS5116PLTWG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
260+54.06 грн
265+53.16 грн
297+47.35 грн
306+44.35 грн
500+36.71 грн
1000+34.67 грн
3000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG nvtfs5116pl-d.pdf
NVTFS5116PLTWG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
595+59.13 грн
1000+54.52 грн
10000+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG nvtfs5116pl-d.pdf
NVTFS5116PLTWG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.05 грн
14+54.06 грн
25+53.16 грн
100+45.65 грн
250+41.07 грн
500+35.24 грн
1000+34.67 грн
3000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG nvtfs5116pl-d.pdf
NVTFS5116PLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.51 грн
10+50.25 грн
100+40.33 грн
500+30.19 грн
1000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG ONSM-S-A0015182054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTFS5116PLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 21W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG nvtfs5116pl-d.pdf
NVTFS5116PLTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG ONSM-S-A0015182054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTFS5116PLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWG nvtfs5116pl-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.