 
NVTFS5116PLWFTAG ON Semiconductor
на замовлення 85490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 14+ | 51.87 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS5116PLWFTAG ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101. 
Інші пропозиції NVTFS5116PLWFTAG за ціною від 39.94 грн до 164.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | NVTFS5116PLWFTAG | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1065 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NVTFS5116PLWFTAG | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 1500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NVTFS5116PLWFTAG | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | на замовлення 1500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NVTFS5116PLWFTAG | Виробник : onsemi |  MOSFETs Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH | на замовлення 1634 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NVTFS5116PLWFTAG | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | NVTFS5116PLWFTAG | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | NVTFS5116PLWFTAG | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | NVTFS5116PLWFTAG | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
| NVTFS5116PLWFTAG | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; Idm: -126A; 10W; WDFNW8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -14A Pulsed drain current: -126A Power dissipation: 10W Case: WDFNW8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності |