Продукція > ONSEMI > NVTFS5116PLWFTWG
NVTFS5116PLWFTWG

NVTFS5116PLWFTWG onsemi

nvtfs5116pl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.48 грн
10+82.33 грн
100+55.95 грн
500+44.58 грн
1000+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS5116PLWFTWG onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFS5116PLWFTWG за ціною від 36.96 грн до 124.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS5116PLWFTWG NVTFS5116PLWFTWG Виробник : onsemi 6425D1D774B7AB9C24B29751B0A634E9AA73AB144872F8A9BAAC689B09EC85B8.pdf MOSFETs Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
на замовлення 3302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.73 грн
10+89.58 грн
100+53.15 грн
500+46.05 грн
1000+42.61 грн
2500+40.47 грн
5000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWG NVTFS5116PLWFTWG Виробник : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWG NVTFS5116PLWFTWG Виробник : ON Semiconductor nvtfs5116pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWG NVTFS5116PLWFTWG Виробник : onsemi nvtfs5116pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTWG Виробник : ONSEMI nvtfs5116pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; Idm: -126A; 10W; WDFNW8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -126A
Power dissipation: 10W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.