Продукція > ONSEMI > NVTFS5124PLTAG
NVTFS5124PLTAG

NVTFS5124PLTAG onsemi

nvtfs5124pl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+18.22 грн
3000+17.28 грн
4500+16.96 грн
7500+15.78 грн
10500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS5124PLTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.26 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm.

Інші пропозиції NVTFS5124PLTAG за ціною від 18.86 грн до 49.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVTFS5124PLTAG NVTFS5124PLTAG ON Semiconductor nvtfs5124pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG NVTFS5124PLTAG ON Semiconductor nvtfs5124pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.86 грн
29+26.56 грн
100+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG NVTFS5124PLTAG ON Semiconductor nvtfs5124pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
966+36.55 грн
1047+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 966 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG NVTFS5124PLTAG onsemi nvtfs5124pl-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.27 грн
10+31.48 грн
100+23.11 грн
500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG NVTFS5124PLTAG ONSEMI ONSM-S-A0011215528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.26 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG NVTFS5124PLTAG onsemi nvtfs5124pl-d.pdf MOSFETs PFET U8FL 60V 8A 260MOHM
на замовлення 18958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG NVTFS5124PLTAG ON Semiconductor nvtfs5124pl-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG NVTFS5124PLTAG ONSEMI ONSM-S-A0011215528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.26 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG ONN nvtfs5124pl-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG nvtfs5124pl-d.pdf
NVTFS5124PLTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG nvtfs5124pl-d.pdf
NVTFS5124PLTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+31.86 грн
29+26.56 грн
100+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG nvtfs5124pl-d.pdf
NVTFS5124PLTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
966+36.55 грн
1047+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 966 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG nvtfs5124pl-d.pdf
NVTFS5124PLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.27 грн
10+31.48 грн
100+23.11 грн
500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG ONSM-S-A0011215528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTFS5124PLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.26 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG nvtfs5124pl-d.pdf
NVTFS5124PLTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET U8FL 60V 8A 260MOHM
на замовлення 18958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG nvtfs5124pl-d.pdf
NVTFS5124PLTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG ONSM-S-A0011215528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTFS5124PLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.26 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5124PLTAG nvtfs5124pl-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.