NVTFS5124PLTAG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 20.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS5124PLTAG onsemi
Description: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.2 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NVTFS5124PLTAG за ціною від 19.74 грн до 75.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS5124PLTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.2 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTFS5124PLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS5124PLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS5124PLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS5124PLTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTFS5124PLTAG | Виробник : onsemi |
MOSFETs PFET U8FL 60V 8A 260MOHM |
на замовлення 19202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS5124PLTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.2 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS5124PLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NVTFS5124PLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NVTFS5124PLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NVTFS5124PLTAG | Виробник : ONSEMI |
NVTFS5124PLTAG SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |