NVTFS5C478NLWFTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 35.22 грн |
| 3000+ | 31.40 грн |
| 4500+ | 30.12 грн |
| 7500+ | 27.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS5C478NLWFTAG onsemi
Description: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVTFS5C478NLWFTAG за ціною від 36.52 грн до 119.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVTFS5C478NLWFTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NVTFS5C478NLWFTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NVTFS5C478NLWFTAG | onsemi |
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NVTFS5C478NLWFTAG | ON Semiconductor |
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
NVTFS5C478NLWFTAG | onsemi |
MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NVTFS5C478NLWFTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NVTFS5C478NLWFTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NVTFS5C478NLWFTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 210+ | 67.31 грн |
| 232+ | 60.92 грн |
| 249+ | 56.68 грн |
| 262+ | 52.03 грн |
| 500+ | 41.67 грн |
| NVTFS5C478NLWFTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 10A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 83.03 грн |
| 12+ | 67.31 грн |
| 25+ | 60.92 грн |
| 100+ | 54.66 грн |
| 250+ | 48.17 грн |
| 500+ | 40.01 грн |
| NVTFS5C478NLWFTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.07 грн |
| 10+ | 73.19 грн |
| 100+ | 49.20 грн |
| 500+ | 36.52 грн |
| NVTFS5C478NLWFTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NVTFS5C478NLWFTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF
MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NVTFS5C478NLWFTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVTFS5C478NLWFTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVTFS5C478NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 26 A, 0.0115 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





