Продукція > ONSEMI > NVTFS5C658NLWFTAG
NVTFS5C658NLWFTAG

NVTFS5C658NLWFTAG ONSEMI

nvtfs5c658nl-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.74 грн
500+55.12 грн
1000+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS5C658NLWFTAG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVTFS5C658NLWFTAG за ціною від 44.01 грн до 159.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS5C658NLWFTAG NVTFS5C658NLWFTAG Виробник : onsemi nvtfs5c658nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.68 грн
10+99.87 грн
100+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAG NVTFS5C658NLWFTAG Виробник : ONSEMI nvtfs5c658nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.37 грн
10+107.46 грн
100+79.74 грн
500+55.12 грн
1000+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAG NVTFS5C658NLWFTAG Виробник : onsemi 2DFFD7F9CFD001199A873CBE359E03E46910885FA21AA9FE1E528EDEE86DD5FC.pdf MOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.66 грн
10+109.29 грн
100+70.63 грн
500+57.17 грн
1000+49.34 грн
1500+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAG NVTFS5C658NLWFTAG Виробник : ON Semiconductor NVTFS5C658NL-D-1107566.pdf MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C658NLWFTAG NVTFS5C658NLWFTAG Виробник : onsemi nvtfs5c658nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.