Продукція > ONSEMI > NVTFS5C680NLWFTAG
NVTFS5C680NLWFTAG

NVTFS5C680NLWFTAG onsemi

nvtfs5c680nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+27.99 грн
3000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS5C680NLWFTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NVTFS5C680NLWFTAG за ціною від 25.66 грн до 130.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS5C680NLWFTAG NVTFS5C680NLWFTAG ONSEMI nvtfs5c680nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFS5C680NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.34 грн
500+40.47 грн
1000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAG NVTFS5C680NLWFTAG onsemi nvtfs5c680nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 38907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.77 грн
10+60.02 грн
100+45.83 грн
500+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAG NVTFS5C680NLWFTAG onsemi 09648AD7E16EE5D6A0823B60F425765782302BF29CE9AE29E3B90DA2D8113E23.pdf MOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.85 грн
10+62.98 грн
100+42.29 грн
500+33.62 грн
1000+33.20 грн
1500+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAG NVTFS5C680NLWFTAG ONSEMI nvtfs5c680nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFS5C680NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.75 грн
10+83.05 грн
100+55.34 грн
500+40.47 грн
1000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAG nvtfs5c680nl-d.pdf
NVTFS5C680NLWFTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C680NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+55.34 грн
500+40.47 грн
1000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAG nvtfs5c680nl-d.pdf
NVTFS5C680NLWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.82A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 38907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.77 грн
10+60.02 грн
100+45.83 грн
500+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAG 09648AD7E16EE5D6A0823B60F425765782302BF29CE9AE29E3B90DA2D8113E23.pdf
NVTFS5C680NLWFTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+97.85 грн
10+62.98 грн
100+42.29 грн
500+33.62 грн
1000+33.20 грн
1500+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C680NLWFTAG nvtfs5c680nl-d.pdf
NVTFS5C680NLWFTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C680NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+130.75 грн
10+83.05 грн
100+55.34 грн
500+40.47 грн
1000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.