Продукція > ONSEMI > NVTFS6H850NLTAG

NVTFS6H850NLTAG onsemi


nvtfs6h850nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+42.19 грн
3000+37.71 грн
4500+36.22 грн
7500+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS6H850NLTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc).

Інші пропозиції NVTFS6H850NLTAG за ціною від 43.57 грн до 140.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVTFS6H850NLTAG NVTFS6H850NLTAG onsemi nvtfs6h850nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.62 грн
10+86.24 грн
100+58.38 грн
500+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLTAG NVTFS6H850NLTAG ON Semiconductor NVTFS6H850NL_D-1773655.pdf MOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLTAG nvtfs6h850nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.62 грн
10+86.24 грн
100+58.38 грн
500+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NLTAG NVTFS6H850NL_D-1773655.pdf
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.