Продукція > ONSEMI > NVTFS6H850NTAG
NVTFS6H850NTAG

NVTFS6H850NTAG onsemi

nvtfs6h850n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+31.60 грн
3000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS6H850NTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NVTFS6H850NTAG за ціною від 24.68 грн до 105.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+46.99 грн
262+46.52 грн
298+40.86 грн
299+39.35 грн
500+33.11 грн
1000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+48.75 грн
14+43.63 грн
25+43.20 грн
100+36.59 грн
250+33.83 грн
500+29.51 грн
1000+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Виробник : onsemi NVTFS6H850N_D-2319935.pdf MOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 619-628 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.13 грн
10+62.92 грн
100+42.67 грн
500+36.14 грн
1000+29.39 грн
1500+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Виробник : onsemi nvtfs6h850n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.84 грн
10+60.77 грн
100+42.27 грн
500+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Виробник : ONSEMI 2571971.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.01 грн
12+68.79 грн
100+46.97 грн
500+34.77 грн
1000+31.75 грн
5000+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAG NVTFS6H850NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs6h850n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NTAG Виробник : ONSEMI nvtfs6h850n-d.pdf NVTFS6H850NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.