NVTFS6H850NTAG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 106500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 30.81 грн |
| 3000+ | 26.00 грн |
| 4500+ | 25.86 грн |
| 7500+ | 23.95 грн |
| 10500+ | 23.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS6H850NTAG onsemi
Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVTFS6H850NTAG за ціною від 25.43 грн до 94.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS6H850NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS6H850NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTFS6H850NTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS6H850NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS6H850NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS6H850NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS6H850NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 106556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTFS6H850NTAG | Виробник : onsemi |
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET |
на замовлення 2327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS6H850NTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 8500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS6H850NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NVTFS6H850NTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 68A; Idm: 300A; 53W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 68A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 53W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |