NVTFS6H850NTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 32.87 грн |
| 3000+ | 29.24 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS6H850NTAG onsemi
Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVTFS6H850NTAG за ціною від 31.43 грн до 138.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS6H850NTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVTFS6H850NTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVTFS6H850NTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVTFS6H850NTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVTFS6H850NTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVTFS6H850NTAG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 27975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVTFS6H850NTAG | onsemi |
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET |
на замовлення 2072 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVTFS6H850NTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 8500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
NVTFS6H850NTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NVTFS6H850NTAG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 35.97 грн |
| NVTFS6H850NTAG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 315+ | 45.79 грн |
| 318+ | 45.33 грн |
| 345+ | 41.80 грн |
| 355+ | 39.19 грн |
| 500+ | 34.66 грн |
| 1000+ | 31.43 грн |
| NVTFS6H850NTAG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 51.59 грн |
| 17+ | 45.79 грн |
| 25+ | 45.33 грн |
| 100+ | 40.31 грн |
| 250+ | 36.29 грн |
| 500+ | 33.27 грн |
| 1000+ | 31.43 грн |
| NVTFS6H850NTAG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 661+ | 54.49 грн |
| 1000+ | 50.25 грн |
| NVTFS6H850NTAG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 56.23 грн |
| NVTFS6H850NTAG |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 125.56 грн |
| 10+ | 76.52 грн |
| 50+ | 57.33 грн |
| 100+ | 47.97 грн |
| 500+ | 37.74 грн |
| NVTFS6H850NTAG |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 138.02 грн |
| 10+ | 85.88 грн |
| 100+ | 49.02 грн |
| 500+ | 38.82 грн |
| 1000+ | 34.53 грн |
| 1500+ | 31.57 грн |
| NVTFS6H850NTAG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 8500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 8500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVTFS6H850NTAG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)