Продукція > ONSEMI > NVTFS6H850NWFTAG
NVTFS6H850NWFTAG

NVTFS6H850NWFTAG onsemi

nvtfs6h850n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS6H850NWFTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFS6H850NWFTAG за ціною від 29.11 грн до 106.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS6H850NWFTAG NVTFS6H850NWFTAG Виробник : onsemi nvtfs6h850n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.70 грн
10+68.29 грн
100+53.13 грн
500+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAG NVTFS6H850NWFTAG Виробник : onsemi nvtfs6h850n-d.pdf MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.74 грн
10+71.65 грн
100+46.28 грн
500+37.88 грн
1000+33.65 грн
1500+30.70 грн
3000+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAG Виробник : ONSEMI nvtfs6h850n-d.pdf NVTFS6H850NWFTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H850NWFTAG Виробник : ON Semiconductor NVTFS6H850N-D-1350936.pdf MOSFET TRENCH 8 80V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.