NVTFS6H850NWFTAG ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 40.85 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS6H850NWFTAG ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVTFS6H850NWFTAG за ціною від 39.27 грн до 128.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVTFS6H850NWFTAG | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NVTFS6H850NWFTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NVTFS6H850NWFTAG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NVTFS6H850NWFTAG | onsemi |
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET |
на замовлення 1644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVTFS6H850NWFTAG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 54.12 грн |
| 3000+ | 51.55 грн |
| NVTFS6H850NWFTAG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 54.16 грн |
| 3000+ | 51.59 грн |
| NVTFS6H850NWFTAG |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.55 грн |
| 10+ | 78.80 грн |
| 50+ | 59.28 грн |
| 100+ | 49.70 грн |
| 500+ | 39.27 грн |
| NVTFS6H850NWFTAG |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)