NVTFS6H854NTAG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 52.48 грн |
| 500+ | 38.73 грн |
| 1000+ | 31.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS6H854NTAG ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: WDFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVTFS6H854NTAG за ціною від 27.12 грн до 105.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS6H854NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTFS6H854NTAG | Виробник : onsemi |
MOSFET TRENCH 8 80V NFET |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFS6H854NTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTFS6H854NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NVTFS6H854NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NVTFS6H854NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |