Продукція > ONSEMI > NVTFS6H854NWFTAG

NVTFS6H854NWFTAG onsemi


nvtfs6h854n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+30.20 грн
3000+26.83 грн
4500+25.69 грн
7500+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS6H854NWFTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFS6H854NWFTAG за ціною від 31.48 грн до 105.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVTFS6H854NWFTAG NVTFS6H854NWFTAG onsemi nvtfs6h854n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.46 грн
10+64.14 грн
100+42.73 грн
500+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NWFTAG NVTFS6H854NWFTAG ON Semiconductor NVTFS6H854N_D-2319562.pdf MOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NWFTAG nvtfs6h854n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+105.46 грн
10+64.14 грн
100+42.73 грн
500+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NWFTAG NVTFS6H854N_D-2319562.pdf
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.