NVTFS6H860NLWFTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 27.70 грн |
| 3000+ | 26.16 грн |
| 4500+ | 25.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS6H860NLWFTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NVTFS6H860NLWFTAG за ціною від 32.89 грн до 96.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVTFS6H860NLWFTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 8.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFNW EP T/R |
на замовлення 288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NVTFS6H860NLWFTAG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN |
на замовлення 290666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| NVTFS6H860NLWFTAG | onsemi |
MOSFETs T8 80V LL U8FL |
на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVTFS6H860NLWFTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 8.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFNW EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 8.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 38.29 грн |
| NVTFS6H860NLWFTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
на замовлення 290666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.99 грн |
| 10+ | 61.45 грн |
| 100+ | 42.08 грн |
| 500+ | 32.89 грн |
| NVTFS6H860NLWFTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL U8FL
MOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



