Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS6H860NTAG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; Idm: 119A; 23W; WDFN8, Pulsed drain current: 119A, Power dissipation: 23W, Gate charge: 8.7nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 30A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: WDFN8, On-state resistance: 21.1mΩ, Mounting: SMD.
Інші пропозиції NVTFS6H860NTAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NVTFS6H860NTAG | ON Semiconductor |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVTFS6H860NTAG |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)