NVTFS6H860NTAG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 18.77 грн |
| 3000+ | 16.53 грн |
| 4500+ | 15.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS6H860NTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVTFS6H860NTAG за ціною від 19.43 грн до 70.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVTFS6H860NTAG | Виробник : onsemi |
MOSFET TRENCH 8 80V NFET |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 837-846 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NVTFS6H860NTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVTFS6H860NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
NVTFS6H860NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
NVTFS6H860NTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
