NVTFS6H880NLWFTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS6H880NLWFTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc), FET Type: N-Channel.
Інші пропозиції NVTFS6H880NLWFTAG за ціною від 24.05 грн до 82.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVTFS6H880NLWFTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NVTFS6H880NLWFTAG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| NVTFS6H880NLWFTAG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| NVTFS6H880NLWFTAG | onsemi |
MOSFETs T8 80V LL U8FL |
на замовлення 6737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVTFS6H880NLWFTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 6.6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 6.6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 911+ | 38.75 грн |
| 1000+ | 35.74 грн |
| NVTFS6H880NLWFTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.73 грн |
| 10+ | 50.03 грн |
| 100+ | 32.95 грн |
| 500+ | 24.05 грн |
| NVTFS6H880NLWFTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| NVTFS6H880NLWFTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL U8FL
MOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 6737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



