Продукція > ONSEMI > NVTFS6H880NTAG
NVTFS6H880NTAG

NVTFS6H880NTAG onsemi

nvtfs6h880n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
10+39.39 грн
100+25.63 грн
500+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS6H880NTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFS6H880NTAG за ціною від 12.43 грн до 72.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS6H880NTAG NVTFS6H880NTAG Виробник : onsemi nvtfs6h880n-d.pdf MOSFETs T8 80V U8FL
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.61 грн
10+44.25 грн
100+25.01 грн
500+19.13 грн
1000+17.21 грн
1500+12.65 грн
9000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs6h880n-d.pdf
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAG NVTFS6H880NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs6h880n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAG Виробник : ONSEMI nvtfs6h880n-d.pdf NVTFS6H880NTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NTAG NVTFS6H880NTAG Виробник : onsemi nvtfs6h880n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.