Продукція > ONSEMI > NVTFS6H888NLTAG
NVTFS6H888NLTAG

NVTFS6H888NLTAG onsemi

nvtfs6h888nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+19.08 грн
3000+16.83 грн
4500+16.04 грн
7500+14.22 грн
10500+13.73 грн
15000+13.25 грн
37500+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS6H888NLTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 23W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm.

Інші пропозиції NVTFS6H888NLTAG за ціною від 17.91 грн до 71.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ON Semiconductor nvtfs6h888nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ON Semiconductor nvtfs6h888nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ON Semiconductor nvtfs6h888nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ON Semiconductor nvtfs6h888nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
510+27.70 грн
564+25.05 грн
569+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ON Semiconductor nvtfs6h888nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+30.11 грн
507+27.85 грн
512+27.57 грн
1000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ON Semiconductor nvtfs6h888nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.25 грн
27+27.98 грн
28+27.70 грн
100+24.16 грн
250+22.15 грн
500+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG onsemi nvtfs6h888nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 85442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.13 грн
10+42.44 грн
100+27.76 грн
500+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ONSEMI 3005771.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 23W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG ONSEMI 3005771.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 23W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG nvtfs6h888nl-d.pdf
NVTFS6H888NLTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG nvtfs6h888nl-d.pdf
NVTFS6H888NLTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG nvtfs6h888nl-d.pdf
NVTFS6H888NLTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG nvtfs6h888nl-d.pdf
NVTFS6H888NLTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
510+27.70 грн
564+25.05 грн
569+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG nvtfs6h888nl-d.pdf
NVTFS6H888NLTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
469+30.11 грн
507+27.85 грн
512+27.57 грн
1000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG nvtfs6h888nl-d.pdf
NVTFS6H888NLTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+30.25 грн
27+27.98 грн
28+27.70 грн
100+24.16 грн
250+22.15 грн
500+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG nvtfs6h888nl-d.pdf
NVTFS6H888NLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 85442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.13 грн
10+42.44 грн
100+27.76 грн
500+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG 3005771.pdf
NVTFS6H888NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 23W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG 3005771.pdf
NVTFS6H888NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 23W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.