NVTFS6H888NLTAG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 16.05 грн |
| 3000+ | 14.90 грн |
| 4500+ | 14.85 грн |
| 7500+ | 13.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS6H888NLTAG onsemi
Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVTFS6H888NLTAG за ціною від 16.69 грн до 37.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS6H888NLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVTFS6H888NLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVTFS6H888NLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 94500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVTFS6H888NLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVTFS6H888NLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVTFS6H888NLTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVTFS6H888NLTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.9A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVTFS6H888NLTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 96162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVTFS6H888NLTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|