Продукція > ONSEMI > NVTFS6H888NLTAG
NVTFS6H888NLTAG

NVTFS6H888NLTAG ONSEMI

3005771.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.89 грн
500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS6H888NLTAG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVTFS6H888NLTAG за ціною від 23.08 грн до 36.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG Виробник : ONSEMI 3005771.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+36.22 грн
25+34.52 грн
100+26.89 грн
500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG Виробник : ONSEMI nvtfs6h888nl-d.pdf NVTFS6H888NLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG Виробник : onsemi nvtfs6h888nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NLTAG NVTFS6H888NLTAG Виробник : onsemi nvtfs6h888nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.