Продукція > ONSEMI > NVTFS6H888NWFTAG
NVTFS6H888NWFTAG

NVTFS6H888NWFTAG onsemi

nvtfs6h888n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 76500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+20.76 грн
3000+18.30 грн
4500+17.45 грн
7500+15.47 грн
10500+14.93 грн
15000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS6H888NWFTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFS6H888NWFTAG за ціною від 13.50 грн до 77.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS6H888NWFTAG NVTFS6H888NWFTAG Виробник : onsemi nvtfs6h888n-d.pdf MOSFETs T8 80V U8FL
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.08 грн
10+42.51 грн
100+24.78 грн
500+19.94 грн
1000+18.28 грн
1500+14.47 грн
3000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAG NVTFS6H888NWFTAG Виробник : onsemi nvtfs6h888n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.10 грн
10+46.20 грн
100+30.19 грн
500+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAG Виробник : ONN nvtfs6h888n-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAG Виробник : ONN nvtfs6h888n-d.pdf
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAG Виробник : ONN nvtfs6h888n-d.pdf
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAG NVTFS6H888NWFTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs6h888n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.