Продукція > ONSEMI > NVTFS6H888NWFTAG
NVTFS6H888NWFTAG

NVTFS6H888NWFTAG onsemi

nvtfs6h888n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 76500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+22.02 грн
3000+19.41 грн
4500+18.50 грн
7500+16.41 грн
10500+15.84 грн
15000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS6H888NWFTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFS6H888NWFTAG за ціною від 14.89 грн до 81.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS6H888NWFTAG NVTFS6H888NWFTAG Виробник : onsemi nvtfs6h888n-d.pdf MOSFETs T8 80V U8FL
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.11 грн
10+46.90 грн
100+27.34 грн
500+21.99 грн
1000+20.16 грн
1500+15.96 грн
3000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAG NVTFS6H888NWFTAG Виробник : onsemi nvtfs6h888n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.78 грн
10+49.00 грн
100+32.03 грн
500+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAG NVTFS6H888NWFTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs6h888n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAG Виробник : ONSEMI nvtfs6h888n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 12A; Idm: 47A; 9.2W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 47A
Power dissipation: 9.2W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.