Продукція > ONSEMI > NVTFS8D1N08HTAG
NVTFS8D1N08HTAG

NVTFS8D1N08HTAG onsemi


nvtfs8d1n08h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS8D1N08HTAG onsemi

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFS8D1N08HTAG за ціною від 39.44 грн до 128.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFS8D1N08HTAG NVTFS8D1N08HTAG Виробник : onsemi nvtfs8d1n08h-d.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.87 грн
10+78.99 грн
100+53.12 грн
500+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.