Продукція > ONSEMI > NVTFS9D6P04M8LTAG

NVTFS9D6P04M8LTAG onsemi


nvtfs9d6p04m8l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+36.46 грн
3000+34.65 грн
4500+34.45 грн
7500+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS9D6P04M8LTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVTFS9D6P04M8LTAG за ціною від 35.97 грн до 158.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG ONSEMI 2913031.pdf Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG onsemi nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+67.01 грн
100+55.39 грн
500+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG onsemi NVTFS9D6P04M8L_D-2319682.pdf MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.73 грн
10+88.12 грн
100+58.20 грн
500+49.29 грн
1000+40.11 грн
1500+37.76 грн
3000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG ONSEMI 2913031.pdf Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.66 грн
10+101.48 грн
100+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG ONN nvtfs9d6p04m8l-d.pdf
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG 2913031.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG nvtfs9d6p04m8l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.10 грн
10+67.01 грн
100+55.39 грн
500+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8L_D-2319682.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+108.73 грн
10+88.12 грн
100+58.20 грн
500+49.29 грн
1000+40.11 грн
1500+37.76 грн
3000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG 2913031.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+158.66 грн
10+101.48 грн
100+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG nvtfs9d6p04m8l-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.