Продукція > ONSEMI > NVTFS9D6P04M8LTAG
NVTFS9D6P04M8LTAG

NVTFS9D6P04M8LTAG onsemi

nvtfs9d6p04m8l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+43.33 грн
3000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS9D6P04M8LTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 75W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.

Інші пропозиції NVTFS9D6P04M8LTAG за ціною від 47.86 грн до 164.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG ON Semiconductor nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG ON Semiconductor nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+86.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG onsemi nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.29 грн
10+94.67 грн
100+64.08 грн
500+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG ON Semiconductor nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+164.64 грн
122+115.72 грн
200+105.37 грн
500+75.30 грн
1000+68.29 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG ONSEMI 2913031.pdf Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG onsemi nvtfs9d6p04m8l-d.pdf MOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG ONSEMI 2913031.pdf Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG ONN nvtfs9d6p04m8l-d.pdf
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG nvtfs9d6p04m8l-d.pdf
NVTFS9D6P04M8LTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG nvtfs9d6p04m8l-d.pdf
NVTFS9D6P04M8LTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+86.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG nvtfs9d6p04m8l-d.pdf
NVTFS9D6P04M8LTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.29 грн
10+94.67 грн
100+64.08 грн
500+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG nvtfs9d6p04m8l-d.pdf
NVTFS9D6P04M8LTAG
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+164.64 грн
122+115.72 грн
200+105.37 грн
500+75.30 грн
1000+68.29 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG 2913031.pdf
NVTFS9D6P04M8LTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG nvtfs9d6p04m8l-d.pdf
NVTFS9D6P04M8LTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG 2913031.pdf
NVTFS9D6P04M8LTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS9D6P04M8LTAG nvtfs9d6p04m8l-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.